集成电路第4章 半导体二极管和晶体管_4.5 场效应半导体晶体管.pptVIP

  • 0
  • 0
  • 约8.51千字
  • 约 28页
  • 2026-02-14 发布于广东
  • 举报

集成电路第4章 半导体二极管和晶体管_4.5 场效应半导体晶体管.ppt

*请注意,此ppt课件具有动画效果,为减少单击鼠标次数,有一些动作设置成连续进行,在继续进行的动作没有完成前,不要单击鼠标,否则连续动作的效果将丧失。文字说明见下一页。*********************注:增强型MOSFET的漏极、衬底和源极是三段断开的短直线,表示零栅压时沟道不通,iD=0。而耗尽型MOSFET的漏极、衬底和源极是一条短直线,表示零栅压时沟道已经导通。***第4章半导体二极管和晶体管2010.024.5.1.1结型场效应晶体管的结构JFET的结构如图4.5.1所示,它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结,形成两个PN结夹着一个N型沟道区图4.5.1结型场效应管的结构PN结域的结构。两个P区连在一起即为栅极G,N型硅的一端是漏极D,另一端是源极S。根据结型场效应管的结构,只能工作在反偏条件下,才没有栅流。现以N沟道为例说明其工作原理。N沟道右上角出现的是符号。4.5.1结型场效应晶体管第4章半导体二极管和晶体管2010.021.栅源电压对沟道的控制作用4.5.1.2结型场效应管的工作原理场效应管是一种电压控制电流源器件,它的漏极电流受栅源电压UGS和漏源电压UDS的双重控制。图01.04.02栅源电压的控制作用在漏、源之间加有一固定电压时,在漏、源间的N型沟道中将产生漏极电流。当UGS继续减小时,N沟道将变窄,ID将减小,直至为零。第4章半导体二极管和晶体管2010.02当UGS=0,加有一定UDS时,形成的漏极电流称为漏极饱和电流IDSS。当UGS<0时,PN结反偏,ID将减小。当uGS<0V时,PN结反偏,耗尽层从上下两个方向向中间靠拢,沟道将变窄,沟道电阻加大。随着uGS越来越负,沟道越来越窄,直至上下合拢,发生夹断。UGS继续减小,沟道继续变窄,ID直至减小为0。当ID=0时所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UGS(off)。IDSSUGS(off)第4章半导体二极管和晶体管2010.02预加断预加断图4.5.3漏源电压对沟道的控制作用2.漏源电压对沟道的控制作用第4章半导体二极管和晶体管2010.02当UDS增加到使UGD=UGS-UDS=UGS(off)时,在紧靠漏极处出现预夹断。当UDS继续增加,漏极处的预夹断区继续向源极方向生长延长,直至漏极电流等于0。在栅极加上电压,且UGS>UGS(off),若漏源电压UDS从零开始增加,则UGD=UGS-UDS将随之减小(反向电压增加)。使靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道从上至下呈楔形分布,如图4.5.3所示。第4章半导体二极管和晶体管2010.02JFET的特性曲线有两条,一是转移特性曲线,二是输出特性曲线。它与MOSFET的特性曲线基本相同,只不过MOSFET的栅压可正、可负,而结型场效应管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负,以使栅源间反偏,没有栅流。JFET的特性曲线如图4.5.4(a)和图4.5.4(b)所示。4.5.1.3结型场效应管的特性曲线

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档