CN1707820A GaN基发光器件制作方法及其器件结构 （清华大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510011661.5

[51]Int.Cl?

H01L33/00

H01S5/00

[43]公开日2005年12月14日[11]公开号CN1707820A

[22]申请日2005.4.29

[21]申请号200510011661.5

[71]申请人清华大学

地址100084北京市北京100084-82信箱[72]发明人罗毅韩彦军

权利要求书2页说明书5页附图3页

[54]发明名称GaN基发光器件制作方法及其器件结构

[57]摘要

本发明属于氮化镓基发光器件的制作领域，其特征是通过在衬底材料和部分外延层中或仅在衬底材料中形成槽孔，并填充以热导率比衬底材料热导率高的材料来有效降低器件的热阻，从而提高包括LED发光效率等在内的器件各项性能指标。本发明有效消除了衬底材料热导率低或热膨胀系数失配等弊端，可获得高性能的GaN基发光器件。

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4724-8001NSSI

知识产权出版社出版

200510011661.5权利要求书第1/2页

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1.一种GaN基发光器件制作方法，包括材料外延、刻蚀、接触电极制作，其特征在于：通过利用干法刻蚀或湿法刻蚀将衬底腐蚀出需要的图形以形成槽孔，并填充上反射率高、热导率远大于衬底热导率的材料以有效降低GaN基发光器件的热阻，提高其发光效率。

2.一种GaN基发光器件制作方法，包括材料外延、刻蚀、接触电极制作，其特征在于：:通过利用干法刻蚀或湿法刻蚀将衬底腐蚀出需要的图形以形成槽孔，然后把与所述槽孔对应的缓冲层、或缓冲层和位于缓冲层之上的临近的一个外延层刻蚀掉，最后填充上反射率高、热导率远大于衬底热导率的材料以有效降低GaN基发光器件的热阻，并提高其发光效率。

3.根据权利要求1或2中任何一项所述的GaN基发光器件制作方法，其特征在于：所述槽孔分布在所述衬底的任一位置，呈周期排列或无规则排列，它的深度小于或等于所述衬底的厚度、缓冲层厚度和位于缓冲层之上的临近的一个外延层厚度三项之和，并且各个槽孔的深度是任意的。

4.根据权利要求1或2中任何一项所述的GaN基发光器件制作方法，其特征在于：所述槽孔图形在平面上沿任一方向的尺寸在0.1微米-100,000微米之间。

5.根据权利要求1或2中任何一项所述的GaN基发光器件制作方法，其特征在于：所述槽孔的形状为任意形状。

6.一种GaN基发光二极管结构，其特征在于：它含有：

蓝宝石衬底(1);

缓冲层(2),位于蓝宝石衬底(1)之上，该缓冲层(2)由GaN基或AlN基材料构成；

第一电极接触层(3),位于缓冲层之上；

有源区(4),它是外延生长的In.Ga,Al1-x-N/In.GaAl?-u-N(x+y≤1,u+v≤1,x≠u)单量子阱或多量子阱的发光区，位于部分第一电极接触层(3)之上；

第二电极接触层(5),位于有源区之上；

第一接触电极(6),位于第一电极接触层(3)之上；

第二接触电极(7),位于第一电极接触层(5)之上；

槽孔，形成在蓝宝石衬底(1)内，并且内填充有热导率远大于蓝宝石衬底(1)的热导率的金属材料(8)。

7.根据权利要求6所述的一种GaN基发光二极管结构，其特征在于：

所述的有源区(4)位于第一电极接触层(3)之上；

所述的第一接触电极(6),位于缓冲层(2)内与所述蓝宝石衬底(1)中的金属材料(8)对应且连通的位置上，并且与第一电极接触层(3)相连。

8.根据权利要求6所述的一种GaN基发光二极管结构，其特征在于：

所述的有源区(4)位于第一电极接触层(3)之上；

200510011661.5权利要求书第2/2页

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所述的第一接触电极(6),位于第一电极接触层(3)内与所述蓝宝石衬底(1)和缓冲层

(2)中的金属材料(8)对应且连通的位置上。

9.一种GaN基激光二极管结构，其特征在于：

蓝宝石衬底(1);

缓冲层(2),位于蓝宝石衬底(1)之上，该缓冲层(2)由GaN基或A1N基材料构成；

第一电极接触层(3),位于缓冲层(2)之上；

第一波导层(9),位于部分第一电极接触层(3)之上；

有源区(4),它