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晶圆制造工程师考试试卷及答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.正性光刻胶中，曝光区域会发生______反应，从而被显影液溶解。

2.CMP工艺中，抛光液通常包含磨粒和______。

3.晶圆干法清洗常用气体是______（写1种）。

4.热氧化生长SiO?常用气氛是干氧和______。

5.离子注入掺杂包括施主（如P）和______（如B）。

6.湿法刻蚀硅常用酸是______（写1种）。

7.铜互连阻挡层常用材料是______（写1种）。

8.光刻对准精度单位是______。

9.主流晶圆直径是______mm（写主流规格）。

10.外延生长类型包括气相外延（VPE）和______（写