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2025年制程巡检考试试题及答案

姓名：__________考号：__________

题号

一

二

三

四

五

总分

评分

一、单选题(共10题)

1.在半导体制造过程中，哪一项是晶圆加工的关键步骤？()

A.光刻

B.化学气相沉积

C.离子注入

D.离子束刻蚀

2.下列哪种缺陷通常是由于晶圆表面污染引起的？()

A.线缺陷

B.点缺陷

C.面缺陷

D.残留缺陷

3.在半导体制造中，哪一种设备用于测量晶圆表面的平整度？()

A.光刻机

B.离子束刻蚀机

C.表面轮廓仪

D.化学气相沉积设备

4.下列哪一项不是晶圆制造中的关键工艺参数？()

A.温度

B.压力

C.时间

D.电流

5.晶圆检测中，哪一种缺陷检测方法是基于光学原理的？()

A.红外检测

B.X射线检测

C.光学检测

D.电磁检测

6.在半导体制造中，晶圆清洗的目的是什么？()

A.去除杂质

B.提高晶圆导电性

C.增加晶圆表面平整度

D.降低晶圆表面温度

7.下列哪一种缺陷是由于晶圆加工过程中的机械应力引起的？()

A.线缺陷

B.点缺陷

C.面缺陷

D.应力缺陷

8.在半导体制造中，哪一种设备用于检测晶圆表面的裂纹？()

A.X射线检测机

B.红外检测机

C.表面轮廓仪

D.光学显微镜

9.在晶圆制造过程中，哪一项工艺对晶圆的化学稳定性要求较高？()

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.化学清洗

D.离子束刻蚀

10.下列哪一种缺陷检测方法是基于电磁原理的？()

A.红外检测

B.X射线检测

C.电磁检测

D.光学检测

二、多选题(共5题)

11.在半导体制造过程中，以下哪些步骤属于晶圆前处理？()

A.化学气相沉积

B.化学清洗

C.离子注入

D.光刻

12.以下哪些因素会影响晶圆的表面质量？()

A.晶圆材料的质量

B.制造过程中的温度控制

C.晶圆的储存条件

D.制造设备的精度

13.在半导体制造中，以下哪些缺陷属于表面缺陷？()

A.线缺陷

B.点缺陷

C.面缺陷

D.残留缺陷

14.以下哪些检测方法可以用于晶圆缺陷检测？()

A.光学检测

B.X射线检测

C.红外检测

D.电磁检测

15.在半导体制造过程中，以下哪些工艺步骤需要严格控制温度？()

A.化学气相沉积

B.离子注入

C.化学清洗

D.离子束刻蚀

三、填空题(共5题)

16.在半导体制造中，用于将电路图案转移到晶圆上的工艺称为______。

17.晶圆清洗的主要目的是______，以确保后续工艺的顺利进行。

18.半导体制造过程中，晶圆的平整度对最终产品的性能有重要影响，通常通过______来测量。

19.在半导体制造中，用于在晶圆表面形成导电层的工艺称为______。

20.半导体制造过程中，为了提高晶圆表面的化学稳定性，通常会在清洗后进行______处理。

四、判断题(共5题)

21.晶圆制造过程中，温度控制对制造质量没有影响。()

A.正确B.错误

22.化学气相沉积（CVD）是一种物理沉积工艺。()

A.正确B.错误

23.晶圆的表面缺陷仅限于表面，不会影响晶圆内部的质量。()

A.正确B.错误

24.光刻过程中，曝光量越大，图案转移越清晰。()

A.正确B.错误

25.离子注入工艺可以提高晶圆的导电性。()

A.正确B.错误

五、简单题(共5题)

26.请简述半导体制造过程中晶圆清洗的重要性以及常用的清洗方法。

27.在光刻工艺中，曝光量对图案转移的影响是什么？如何控制曝光量？

28.什么是晶圆缺陷？常见的晶圆缺陷有哪些类型？

29.什么是化学气相沉积（CVD）？它在半导体制造中有哪些应用？

30.为什么在半导体制造过程中需要严格控制温度？请举例说明。

2025年制程巡检考试试题及答案

一、单选题(共10题)

1.【答案】A

【解析】光刻是半导体制造过程中将电路图案转移到晶圆上的关键步骤。

2.【答案】B

【解析】点缺陷通常是由于晶圆表面污染引起的，如尘埃颗粒等。

3.【答案】C

【解析】表面轮廓仪用于测量晶圆表面的平整度，确保制造质量。

4.【答案】D

【解析】在晶圆制造过程中，电流不是关键工艺参数，而温度、压力和时间则是。

5.【答案】