CN102034869A 半导体装置、电力电路及半导体装置的制作方法 （株式会社半导体能源研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102034869A

(43)申请公布日2011.04.27

(21)申请号201010293477.5

(22)申请日2010.09.19

(30)优先权数据

2009-2188162009.09.24JP

(71)申请人株式会社半导体能源研究所地址日本神奈川县

(72)发明人山崎舜平高桥圭伊藤良明

(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100

代理人李玲

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/12(2006.01)

HO1L29/04(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书3页说明书15页附图11页

(54)发明名称

半导体装置、电力电路及半导体装置的制作方法

(57)摘要

CN102034869A一种半导体装置，包括：衬底上的第一导电层；覆盖第一导电层的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的不与第一导电层重叠的区域中的第二导电层；覆盖氧化物半导体层及第二导电层的

CN102034869A

CN