CN102044419B 锗硅薄膜制备方法以及半导体器件制作方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102044419B

(45)授权公告日2012.08.22

(21)申请号200910197453.7

(22)申请日2009.10.20

(73)专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人何有丰胡亚兰

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227代理人李丽

(51)Int.CI.

HO1L21/205(2006.01)

HO1L21/324(2006.01)

(56)对比文件

US2007/0190731A1,2007.08.16,全文.CN101226899A,2008.07.23,全文.

US2008/0283926A1,2008.11.20,全文.CN1921086A,2007.02.28,全文.

审查员赵伟

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

锗硅薄膜制备方法以及半导体器件制作方法

提供衬底，所述衬底表面形成有栅极以及

提供衬底，所述衬底表面形成有栅极以及位于栅极两侧的补偿层

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