CN102034869B 半导体装置、电力电路及半导体装置的制作方法 （株式会社半导体能源研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102034869B

(45)授权公告日2015.07.08

(21)申请号201010293477.5

(22)申请日2010.09.19

(30)优先权数据

2009-2188162009.09.24JP

(73)专利权人株式会社半导体能源研究所地址日本神奈川县

(72)发明人山崎舜平高桥圭伊藤良明

(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公

司31100代理人李玲

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/12(2006.01)

HO1L29/04(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

(56)对比文件

CN1906770A,2007.01.31,

CN1845354A,2006.10.11,

US2008/0035920A1,2008.02.14,

US2007/0212807A1,2007.09.13,

CN101326644A,2008.12.17,

CN1906770A,2007.01.31,审查员程凯芳

权利要求书3