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半导体专题实验氧化层之成长与厚度量测.pptx

半导体专题实验氧化层之成长与厚度量测.pptx

    半导体专题实验;以干氧与湿氧方式成长氧化层

    量测其厚度

    探讨氧化条件和厚度的关系;OxidationinSemiconductor;热成长氧化层的机制与模型;Introduction;热成长氧化层的机制与模型(I);热成长氧化层的机制与模型(II);热成长氧化层的机制与模型(III);热成长氧化层的机制与模型(IV);氧化层成长的方法及其应用;氧化层厚度与其颜色之关系;DRYWET;X2＋A*X＝B*（t＋τ）

    X表示氧化层厚度

    t表示反应时间

    τ为成长到nativeoxide厚度所需之时间;Deal－Grove

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