CN108458994A 基于石墨烯复合膜的双d型光纤传感器及其制作方法 （南京信息工程大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108458994A

(43)申请公布日2018.08.28

(21)申请号201810260709.3

(22)申请日2018.03.27

(71)申请人南京信息工程大学

地址210044江苏省南京市浦口区宁六路

219号

(72)发明人葛益娴蔡凯杰曹鸿霞

(74)专利代理机构南京钟山专利代理有限公司

32252

代理人戴朝荣

(51)Int.CI.

GO1N21/552(2014.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器及其制作方法

(57)摘要

CN108458994A本发明公开了一种基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器及其制作方法，包括纤芯、包层、金银复合膜和石墨烯层，纤芯的外表面包裹有包层，包层两侧面均设有D型凹槽，两个所述D型凹槽以纤芯为中心轴线相互对称，包层上的D型凹槽的内侧底壁为抛光面，抛光面上镀有一层金银复合膜，金银复合膜的表面敷设有石墨烯层；制作双D型光纤：去除单模光纤外表面的外保护层，清洗外保护层的碎屑，将单模光纤固定住，在单模光纤的包层两边的侧面均研磨出D型凹槽，保持研磨的包层的切面平滑；在两个D型凹槽内侧底壁的切面上溅射一层银薄膜，在银薄膜上溅射一层金薄膜；在金银复合膜上生长石墨烯；本发

CN108458994A

CN108458994A权利要求书1/1页

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1.一种基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：包括纤芯、包层、金银复合膜和石墨烯层，所述纤芯的外表面包裹有一层包层，所述包层的两侧面均设有D型凹槽，两个所述D型凹槽以纤芯为中心轴线相互对称，所述包层上的D型凹槽的内侧底壁为抛光面，所述抛光面上镀有一层金银复合膜，所述金银复合膜的表面敷设有石墨烯层。

2.根据权利要求1所述的基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：所述金银复合膜包括金薄膜和银薄膜，所述抛光面上镀有一层银薄膜，所述银薄膜的表面上镀有一层金薄膜。

3.根据权利要求2所述的基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：还包括光源、单模光纤、掺铒光纤放大器和光谱仪，所述光源通过单模光纤与所述纤芯的一端连接，所述纤芯的另一端通过单模光纤与掺铒光纤放大器连接，所述掺铒光纤放大器与光谱仪连接。

4.根据权利要求3所述的基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：所述光源为宽光谱光源。

5.根据权利要求1所述的基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：所述包层上的抛光面的长度为10mm,所述包层上的抛光面与纤芯之间的垂直距离为300nm~500nm。

6.根据权利要求2所述的基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：所述银薄膜的厚度为40nm～50nm,所述金薄膜的厚度为10nm～20nm。

7.根据权利要求1所述的基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：所述石墨烯层的层数为1层～10层。

8.一种基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)制作双D型光纤：取一根单模光纤，去除单模光纤外表面的外保护层，清洗并去除外保护层的碎屑，裸露出单模光纤的包层，将单模光纤固定住，在单模光纤的包层两边的侧面均研磨出D型凹槽，保持研磨的包层的切面平滑，研磨结束后，清洗包层的切面；

(2)制备金银复合膜：固定步骤(1)得到的双D型光纤，在两个D型凹槽内侧底壁的切面上溅射一层银薄膜，在银薄膜上溅射一层金薄膜；

(3)制备石墨烯层：采用化学气相沉积法在金银复合膜上生长石墨烯。

9.根据权利要求8所述的基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)制作双D型光纤：取一根单模光纤，用光纤保护层剥离器去除单模光纤外表面的外保护层，用酒精清洗并去除外保护层的碎屑，裸露出单模光纤的包层，再用夹具将单模光纤固定住，采用研磨的方法，在单模光纤的包层两边的侧面均研磨出一段长度为10mm的D型凹槽，保持研磨的包层的切面平滑，且位于D型凹槽内侧底壁的切面与纤芯之间的垂直距离为300nm～500nm,研磨结束后，用酒精清洗包层的切面；

(2)制备金银复合膜：将步骤(1)得到的双D型光纤固定在玻璃基片上，采用磁控溅射法在两个D型凹槽内侧底壁的切面上溅射一层厚度为40nm～50nm的银薄膜，在银薄膜上溅射一