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- 2026-02-27 发布于重庆
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[19]中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公布说明书
[21]申请号200610101482.5
[51]Int.Cl.
HO1J9/00(2006.01)
HO1J29/02(2006.01)
HO1J29/86(2006.01)
[43]公开日2008年1月16日[11]公开号CN101106049A
[22]申请日2006.7.10
[21]申请号200610101482.5
[71]申请人东元电机股份有限公司地址中国台湾台北市
[72]发明人徐伟胜高正杰钟易蓉
[74]专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人陈晨
权利要求书2页说明书8页附图5页
[54]发明名称
场发射显示元件的跨接支撑结构及其制作方法
[57]摘要
一种场发射显示元件的跨接支撑结构及其制作方法,该场发射显示元件的跨接支撑结构包括:多个绝缘层,所述绝缘层以堆叠形式相互重叠;以及导电层,其设置在所述绝缘层的最后一层表面,其中该导电层具有形成在表面的凹槽。本发明场发射元件的跨接支撑结构是设置在场发射显示的阴极基板与阳极基板之间,以提供各电极导线的跨接,从而达到最短距离的导通路径,用以作为阴极基板与阳极基板之间的真空
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