CN101224868B 基于单个极性半导体纳米带光弹簧的制作方法 （湘潭大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101224868B

(45)授权公告日2011.04.06

(21)申请号200810030575.2

(22)申请日2008.01.30

(73)专利权人湘潭大学

审查员杨艳

地址411100湖南省湘潭市羊牯塘

龚伦军

(51)Int.CI.

B82B3/00(2006.01)

(56)对比文件

JP2006255847A,2006.09.28,全文.

权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

基于单个极性半导体纳米带光弹簧的制作方法

田

田空穴+阳离子光注入

硅

本发明公开了一种基于单个极性半导体纳米带的光弹簧的制作方法，1)以半导体粉末为原料，采用热蒸发方法制备半导体纳米带絮状物；

2)用挥发性溶液为分散液，将半导体纳米带絮状物溶解在分散液中，并经超声振荡后，使半导体纳米带絮状物分散成单个极性半导体纳米带悬浮在分散液中；3)将置于空气中形成二氧化硅绝缘层的单晶硅片为衬底；4)将悬浮单个极性半导体纳米带的分散液滴在衬底上经自然挥发，

CN得到随机分布的单个纳米带；5)用纳米探针技术，选取平躺在衬底上其垂直方向具