CN101197417A 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 （普光科技（广州）有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1L33/00(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200810055710.9

[43]公开日2008年6月11日[11]公开号CN101197417A

[22]申请日2008.1.7

[21]申请号200810055710.9

[71]申请人普光科技(广州)有限公司

地址510530广东省广州市广州经济技术开发区东区骏功路16号

[72]发明人陈国聪王孟源

[74]专利代理机构北京汇泽知识产权代理有限公司代理人龚建华

权利要求书2页说明书8页附图6页

[54]发明名称

氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法

[57]摘要

本发明提供一种氮化镓基发光二极管芯片，该芯片包括衬底，在衬底的底面蒸镀有反射膜，该反射膜包括电介质反射膜和金属反射膜，电介质反射膜蒸镀在衬底和金属反射膜之间；本发明还提供该氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，包括：将芯片的衬底减薄，再在该衬底的底面蒸镀上述反射膜，提高氮化镓基发光二极管芯片的光取出效率；该制作方法还可包括以下步骤：在上述反射膜的底面蒸镀散热层，或者