CN101226930A 具有层或结构识别标记的半导体结构及其制作方法和应用 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200710036474.1

[51]Int.Cl.

H01L27/02(2006.01)

HO1L23/544(2006.01)

HO1L21/82(2006.01)

H01L21/00(2006.01)

[43]公开日2008年7月23日[11]公开号CN101226930A

[22]申请日2007.1.15

[21]申请号200710036474.1

[71]申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

[72]发明人郭志蓉张启华董伟淳林育正

[74]专利代理机构北京市金杜律师事务所代理人李勇

权利要求书2页说明书8页附图7页

[54]发明名称

具有层或结构识别标记的半导体结构及其制作方法和应用

[57]摘要

一种具有层或结构的识别标记的半导体结构，该识别标记用于进行半导体故障分析时准确剥离结构层，该结构包括：器件区，包括栅极氧化层、栅极、接触窗、金属层、通孔及电介质层；测试图案区，包括模拟器件结构和电介质层；层或结构识别标记区，在需要做分析的典型图案附近，包括识别标记和电介质层。利用该识别标记，可以