CN101097860A 化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200710018147.3

[51]Int.Cl.

HO1L21/28(2006.01)

HO1L21/768(2006.01)

[43]公开日2008年1月2日[11]公开号CN101097860A

[22]申请日2007.6.28

[21]申请号200710018147.3

[71]申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白路2号[72]发明人郝跃林若兵冯倩王冲

[74]专利代理机构陕西电子工业专利中心代理人王品华黎汉华

权利要求书2页说明书11页附图2页

[54]发明名称

化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法

[57]摘要

本发明公开了一种化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法。主要解决现有技术制作空气桥拱形高度低，宽度窄，器件可靠性差的问题。其工艺过程是：在基片上分别涂前烘温度不同的剥离胶和光刻胶，并光刻出桥区及电极的区域，形成牺牲层；再将涂有两种胶的基片用135℃-145℃的低温烘烤15-25min,使桥区的牺牲层成为拱形结构；接着在牺牲层上淀积一层80nm-100nm起镀层，并在起镀层上涂光刻胶，再光