1-半导体发光材料与器件.pptVIP

*****************在发展成GaN激光器的过程中，最大的困难有两个，一是缺乏晶格常数和热膨胀系数与GaN匹配的衬底材料，二是难以实现高P型掺杂。20世纪80年代后期，人们先后用在蓝宝石或SiC衬底材料上引入过渡层的方法和对高阻GaN材料进行低能电子辐射的方法解决了这两个问题。1.蓝光半导体激光器材料GaN是最引人注目的蓝光半导体激光器材料。可与AlN，InN形成带隙连续可变的固熔体。补充：日本日亚公司在1993年率先研制成功输出功率为1mW的InGaN/AlGaN双异质结蓝色发光二极管，稍后该公司又开发出输出功率为5mW的单量子阱蓝色发光二极管。1995年日本名古屋大学采用以蓝宝石和SiC为衬底材料的InGaN/AlGaN双异质结蓝色发光二极管，首次在低温下实现了蓝光受激发射。1996年，日本日亚公司终于研制成功能在室温下运行的InGaN多量子阱蓝光半导体激光器。后来，该公司又在1997年用Si掺杂的InGaN量子阱代替以前的未掺杂量子阱作为发光层，减小了由电流产生的热效应，提高了器件的寿命。日亚公司在1998年初制备成功实用化的蓝光(417nm)InGaN多量子阱激光器。