CN101414623A 槽栅型源漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200810232526.7

[51]Int.Cl.

H01L29/772(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

[43]公开日2009年4月22日[11]公开号CN101414623A

[22]申请日2008.12.1

[21]申请号200810232526.7

[71]申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白路2号[72]发明人郝跃毛维过润秋杨翠

[74]专利代理机构陕西电子工业专利中心代理人王品华朱红星

权利要求书2页说明书14页附图4页

[54]发明名称

槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法

[57]摘要

扩层个浮实场板10源场板源极4钝化层8势垒层3凹槽6过渡层2社成1L2溺板5本发明公开了一种槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)、漏场板(11)和保护层(12),该