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- 2026-02-28 发布于重庆
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[19]中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公布说明书
[21]申请号200910031171.X
[51]Int.Cl.
G01R33/02(2006.01)GO1R19/00(2006.01)H02N2/00(2006.01)
[43]公开日2009年9月30日[11]公开号CN101545957A
[22]申请日2009.4.24
[21]申请号200910031171.X
[71]申请人江苏大学
地址212013江苏省镇江市学府路301号[72]发明人鲍丙豪骆英
[74]专利代理机构南京知识律师事务所代理人汪旭东
权利要求书1页说明书4页附图1页
[54]发明名称
一种栅结构磁电式磁场传感器及制作方法
[57]摘要
本发明涉及传感技术领域,具体为一种栅结构磁电式磁场传感器及制作方法。传感器包括压电材料,若干磁致伸缩细棒和永磁材料,压电材料上设有栅状导电银膜,导电银膜上设有电极引线;导电银膜的数量和宽度与磁致伸缩细棒一一对应,磁致伸缩细棒位于栅状导电银膜上并相互平行,永磁材料平行放置在中间位置的磁致伸缩细棒上。本发明显著提高了传感器对交变磁场的测量灵敏度,可对交变磁场及导线产生的交变电流进行检测,具有无需供电即可产生与被检测交变磁信号成正比的电压输出信号的特点,在较宽的频率范围内输出灵敏度几乎不随频率改变;不仅可用于交变磁场及交变电流信号的测量,还可用于交变磁场环境下的发电。
200910031171.X权利要求书第1/1页
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1、一种栅结构磁电式磁场传感器,包括压电材料,若干磁致伸缩细棒和永磁材料,压电材料上设有栅状导电银膜,导电银膜上设有电极引线;导电银膜的数量和宽度与磁致伸缩细棒一一对应,磁致伸缩细棒位于栅状导电银膜上并相互平行,永磁材料平行放置在中间位置的磁致伸缩细棒上。
2、权利要求1所述的传感器,其特征在于:巨磁致伸缩材料为Tdo?Dyo.?Fe?(Terfenol-D)。
3、权利要求1所述的传感器,其特征在于:压电材料为锆钛酸铅(PZT)。
4、权利要求1所述的传感器,其特征在于:磁致伸缩细棒的长度为0.5厘米~5厘米,宽度0.5~1.5mm,厚度为0.5~1.5mm。
5、权利要求1所述的传感器,其特征在于:永磁材料为NdFeB,宽度与压电材料同宽,长度为压电材料长度的一半。
6、权利要求1所述的传感器,其特征在于:栅状导电银膜之间的间隔为0.5~1.5mm,导电银膜的宽度为0.5~1.5mm。
7、权利要求1所述的传感器的制备方法,具体为:将大块磁致伸缩材料制成若干磁致伸缩细棒,将压电材料的导电银膜制成栅状结构;在导电银膜上引出电极引线;用胶将磁致伸缩细棒粘贴于压电材料的导电银膜上,细棒与细棒间保持平行,施压后放置自然晾干或烘干,再将NdFeB永磁材料直接粘于磁致伸缩细棒表面。
8、权利要求7所述的制备方法,其特征在于:磁致伸缩棒细棒粘贴于压电材料的单面或双面,双面粘贴两面应保持对齐。
200910031171.X说明书第1/4页
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一种栅结构磁电式磁场传感器及制作方法
技术领域
本发明涉及传感技术领域,具体是一种采用栅结构,利用铁磁电层合材料的磁致压电效应原理制作的磁电式磁场传感器。
背景技术
磁致压电效应是指利用磁场来产生电场的效应,即利用磁信号来产生电信号输出的效应。具有较大磁电灵敏度,且具有应用前景的材料是磁致伸缩材料和压电材料组合成的这种层合结构材料,它是利用磁致伸缩材料在外磁场作用下产生磁致伸缩,从而在压电材料表面产生切向应力,压电材料受此应力作用在两表面上产生电荷或两表面间产生电压的效应。由于该效应具有广阔的应用前景,目前,对该效应的研究已形成国际上的一个研究热点。
国外已开展的研究:
2003年在美国Virginia的ShuxiangDong,Jie-FangLi等人在IEEETRANSACTIONONULTRASONICS,FERROELECTRICSANDFREQUENCYCONTROL,VOL.50,No.10上发表了“Longitudinalandtransv
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