CN101521259B 一种薄膜温差电池及其制作方法 （深圳大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101521259B

(45)授权公告日2010.09.15

(21)申请号200910105172.4

(22)申请日2009.01.20

(73)专利权人深圳大学

地址518060广东省深圳市南山区南海大道

3688号

(72)发明人范平张东平郑壮豪梁广兴

(74)专利代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所44268

代理人王永文

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

审查员

35/32(2006.01)

35/34(2006.01)甄丽娟

权利要求书2页说明书9页附图11页

(54)发明名称

一种薄膜温差电池及其制作方法

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CN101521259B本发明提供一种薄膜温差电池及其制作方法，在基片上镀制P型热电材料薄膜层、绝缘材料薄膜层和N型热电材料薄膜层形成一个三层膜的PN结，可以有多个三层膜的PN结串联，串联的每个三层膜的PN结间有一层绝缘材料薄膜层相隔，以及分别从基片上面、最后一个三层膜的PN结的最外薄膜层引出电极。该方法采用镀制P型热电材料薄膜层、绝缘材料薄膜层和N型热电材料薄膜层形成一个三层膜的PN结，来形成温差电偶，在镀制绝缘材料薄膜层过程中，不必有专门连接P型和N型热电材料的过程，使得制造该温差电池的工艺比较简单，由于薄膜热电材料的特性，且多层膜结构为多个三层膜的PN

CN101521259B

CN101521259B权利要求书1/2页

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1.一种薄膜温差电池，其特征在于，包括基片，

所述基片的一面依次并反复镀制有P型热电材料薄膜层、绝缘材料薄膜层和N型热电材料薄膜层；

一组所述P型热电材料薄膜层、绝缘材料薄膜层和N型热电材料薄膜层形成一个三层膜，所述三层膜的P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层在绝缘材料薄膜层的一端连接，形成一个PN结；

相邻两个所述PN结间镀有一层绝缘材料薄膜层相隔，且所述相隔绝缘材料薄膜层两侧的三层膜PN结从所述相隔绝缘材料薄膜层的一端连接，形成所述PN结间的串联；

从所述基片的一面最外的薄膜层引出一个电极和从所述基片镀制有热电材料薄膜层的一面上引出另一个电极。

2.如权利要求1所述温差电池，其特征在于，所述基片的厚度为：0.1mm至100mm,所述P型热电材料薄膜层的厚度为：1nm至10μm;所述N型热电材料薄膜层的厚度为：1nm至10μm。

3.如权利要求1所述薄膜温差电池，其特征在于，所述基片的形状是规则的矩形。

4.一种薄膜温差电池，其特征在于，包括基片，

所述基片的两面依次并反复镀制有P型热电材料薄膜层、绝缘材料薄膜层和N型热电材料薄膜层；一组所述P型热电材料薄膜层、绝缘材料薄膜层和N型热电材料薄膜层形成一个三层膜，所述三层膜的P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层在绝缘材料薄膜层的一端连接，形成一个PN结；

相邻两个所述PN结间镀有一层绝缘材料薄膜层相隔，且所述相隔绝缘材料薄膜层两侧的三层膜PN结从所述相隔绝缘材料薄膜层的一端连接，形成所述PN结间的串联；

分别从所述基片两面的最外的薄膜层引出电极。

5.一种薄膜温差电池的制作方法，其特征在于，包括步骤：

选用基片，将所述基片的侧面遮挡住；

在所述基片一面预留一电极；

在所述基片预留电极的面镀制P型热电材料薄膜层；

挡住所述基片及已镀薄膜层的一端和全部侧面，在所述P型热电材料薄膜层上镀制绝缘材料薄膜层；

挡住基片及已镀薄膜层的侧面，在镀制的绝缘材料薄膜层上镀制N型热电材料薄膜层形成一个三层膜，所述三层膜的P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层在前述被挡住的一端连接，形成一个PN结；

重复上述过程形成多个PN结；

在相邻两个所述PN结间镀制一层绝缘材料薄膜层相隔，且镀制所述相隔绝缘材料薄膜层时，挡住所述基片及已镀薄膜层的另一端及全部侧面，与所述相隔绝缘材料薄膜层相邻的两个三层膜PN结在前述被挡住的另一端连接，形成所述两个PN结间的串联；

从最后一个三层膜的PN结的最外的薄膜层引出另一电极，形成薄膜温差电池的主体结构。

6.一种薄膜温差电池的制作方法，其特征在于，在基片的两面镀制多层膜，包括步骤：

选用基片，将所述