CN101483218B 一种温差电池的制作方法 （深圳大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101483218B

(45)授权公告日2011.03.09

(21)申请号200910105173.9

(22)申请日2009.01.20

(73)专利权人深圳大学

地址518060广东省深圳市南山区南海大道

3688号

(72)发明人范平张东平梁广兴郑壮豪

(74)专利代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所44268

代理人王永文

(51)Int.CI.

HO1L35/32(2006.01)

HO1L35/34(2006.01)

审查员甄丽娟

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种温差电池的制作方法

(57)摘要

CN101483218B本发明提出了一种温差电池的制作方法，在绝缘基片的两面分别镀制P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层，在镀制过程中，绝缘基片裸露一侧面，P型热电材料薄膜和N型热电材料薄膜都在此有沉积，而使P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层在该侧面处连接，形成PN结；无需再有专门连接P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层的过程，使得制造温差电池的工艺比较简单。