CN101414628A 凹槽г栅高电子迁移率晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200810232534.1

[51]Int.Cl.

H01L29/778(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

[43]公开日2009年4月22日[11]公开号CN101414628A

[22]申请日2008.12.1

[21]申请号200810232534.1

[71]申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白路2号[72]发明人郝跃毛维过润秋杨翠

[74]专利代理机构陕西电子工业专利中心代理人王品华朱红星

权利要求书2页说明书14页附图5页

[54]发明名称

凹槽「栅高电子迁移率晶体管及其制作方法

[57]摘要

保护层□个平空场板10源极4桃化腐漏极5F概9势垒层3第三西相8第一凹槽6衬廊1本发明公开了一种凹槽T栅高电子迁移率晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、钝化层(7)、T栅(9)和保护层(11),该势垒层(3)上开有第