CN101521259A 一种薄膜温差电池及其制作方法 （深圳大学）.docxVIP

[51]Int.Cl.

[51]Int.Cl.

HO1L35/32(2006.01)

HO1L35/34(2006.01)

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200910105172.4

[43]公开日2009年9月2日[11]公开号CN101521259A

[22]申请日2009.1.20

[21]申请号200910105172.4

[71]申请人深圳大学

地址518060广东省深圳市南山区南海大道3688号

[72]发明人范平张东平郑壮豪梁广兴

[74]专利代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所

代理人王永文

权利要求书3页说明书15页附图13页

[54]发明名称

一种薄膜温差电池及其制作方法

[57]摘要

110118117108-107104102119116109106105103101本发明提供一种薄膜温差电池及其制作方法，在基片上镀制P型热电材料薄膜层、绝缘材料薄膜层和N型热电材料薄膜层形成一个三层膜的PN结，可以有多个三层膜的PN结串联，串联的每个三层膜的PN结间有一层绝缘材料薄膜层相隔，以及分别从基片上面、最后一个三层膜的PN结的最外薄膜层引出电极。该方法采用