CN101476899B 一种非本征fp光纤传感器的制作方法 （大连理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101476899B

(45)授权公告日2010.09.08

(21)申请号200910010183.4

(22)申请日2009.01.17

(73)专利权人大连理工大学

地址116024辽宁省大连市甘井子区凌工路

2号

(72)发明人宋世德王晓娜

(74)专利代理机构大连理工大学专利中心

21200

代理人梅洪玉

(51)Int.CI.

GO1DGO2B

审查员

5/26(2006.01)6/255(2006.01)

宋丽敏

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

一种非本征F-P光纤传感器的制作方法

(57)摘要

CN101476899B本发明公开了一种非本征光纤传感器的制作方法，属于光纤传感器技术领域，涉及一种光纤传感器件的制作技术。其特征是将通过刻划方法形成缺陷的裸光纤插入毛细管中，通过CO?激光热熔或胶粘方式将位于裸光纤末端的毛细管端点与裸光纤固定在一起；当光纤另一端施加的拉应力达到断裂阈值时，裸光纤从刻痕缺陷处裂开，形成与光纤轴线垂直的平整解理面；调节干涉腔长度，采用同样的方式将毛细管的另外一端与裸光纤固定在一起，最终制作出非本征F-P光纤传感器。本