CN101419982B 槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101419982B

(45)授权公告日2010.09.08

(21)申请号200810232513.X

(22)申请日2008.12.01

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白路2号

(72)发明人毛维杨翠郝跃过润秋

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

审查员李勇

权利要求书1页说明书11页附图4页

(54)发明名称

槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法

(57)摘要

CN101419982B护层个得空场板10源场板地化层势垒层3棚凹穗6衬底本发明公开了一种槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11),该槽栅(7)位于势垒层的凹槽(6)中