CN101542759B 半导体晶圆和半导体器件及其制作方法 （香港应用科技研究院有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101542759B

(45)授权公告日2012.10.03

(21)申请号200880000044.7

(22)申请日2008.06.02

(85)PCT申请进入国家阶段日

2008.07.09

(86)PCT申请的申请数据

PCT/CN2008/0711682008.06.02

(87)PCT申请的公布数据

WO2009/146583ZH2009.12.10

(73)专利权人香港应用科技研究院有限公司

地址香港新界沙田香港科学园科技大道西

二号生物资讯中心三楼

(72)发明人袁述

(74)专利代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司44223

代理人江耀纯

(51)Int.CI.

HO1L33/00(2006.01)

HO1S5/00(2006.01)

HO1L29/68(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

(56)对比文件

CN1283306A,2001.02.07,说明书第1页第5行至第8行，第10页第25行至第11页第31行、附图6A-6D.

CN1283306A,2001.02.07,说明书第1页第5行至第8行，第10页第25行至第11页第31行、附图6A-6D.

US2006/0278880A1,2006.12.14,说明书摘要，说明书第3页第[0062]段至第[0067]段、附图7.

CN1839470A,2006.09.27,说明书第6页第10行至第7页第24行、附图1-7.

US2006/0286777A1,2006.12.21,全文.

US2004/0206963A1,2004.10.21,说明书第2页第[0031]段至第[0033]段、附图1A-1C.

US5300188A,1994.04.05,说明书第3栏第19行至第5栏至第25行、附图1A-1D.

JP特开平6-77190A,1994.03.18,全文.审查员张剑铭

权利要求书2页说明书6页附图7页

(54)发明名称

半导体晶圆和半导体器件及其制作方法

(57)摘要

CN101542759B本发明提供了半导体晶圆、半导体器件以及制作半导体晶圆和器件的方法。本发明实施例特别适合用于基板替换应用，例如在制作垂直结构LED情况下。本发明一个实施例包括一种制作半导体器件的方法，本方法包括提供一个基板；在基板上形成多个抛光触止块；在基板上生长一个或多个缓冲层；在一个或多个缓冲层上生长一个或多个外延层；以及在一个或多个外延层增加一个或多个金属层。另外，还可以有粘贴第二基板到一

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CN101542759B权利要求书1/2页

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1.一种半导体晶圆，包括：

一个基板；

在基板上的多个抛光触止块；

在基板上生长的一个或多个缓冲层，使所述多个抛光触止块形成在一个或多个缓冲层里；和

在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中基板是一个蓝宝石基板。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中多个抛光触止块是使用一种减法方法形成。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中多个抛光触止块是使用一种加法方法形成。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆，还包括多个光散射元件在一个或多个缓冲层里。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆，还包括在一个或多个缓冲层之间的一个触止层。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中每个抛光触止块包括被加到抛光触止块上的一个抛光触止层，且其中每个抛光触止块是由第一材料制成，而每个抛光触止层是由第二材料制成。

8.根据权利要求7所述的半导体晶圆，其中每个抛光触止层完全覆盖抛光触止块。

9.一种半导体器件，包括：

一个基板；

在基板上的多个抛光触止块；

在基板上生长的一个或多个缓冲层，使所述多个抛光触止块形成在一个或多个缓冲层里；

在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层；和

在一个或多个外延层上的一个或多个金属层。

10.