《模拟集成电路设计》第三次作业.PDFVIP

《模拟集成电路设计》第三次作业

1.假设NMOS管的控制电容C等于C(n=2)，内建势2|Φ|=0.6V，计算其衬偏

gcbcF

系数γ？当VBS=0时，试画出衬底掺杂溶度NB与栅氧化层厚度tox的关系曲线。如

果栅氧化层厚度tox=50nm，衬底掺杂溶度NB是多少？

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2.NMOS管参数如下：V=1V，KP=50μA/V，W/L=10(L=0.13μm)和λ=0.02，

THnn

请画出跨导gm和输出跨导go随电流ID的关系，电流从1nA变化到1mA。如果n=

1.5，给出g/I和g/g的曲线图。

mDmo

3.图1是互补型传输门电路。画出NMOS管，PMOS管和传输门导通电阻随输入电

压vIN的变化曲线图。(a)忽略衬偏效应；(b)在N-well工艺中，PMOS管衬底接源

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极，NMOS管衬底接地。工艺参数：β=β=400μA/V，V=|V|=1V，γ=

npTHnTHpn

γ=0.4V1/2和2|Φ|=0.6V。

pF

+8V+8V

vR=10kvR=10k

INLINL

(a)(b)

图1

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4.已知NMOS管参数如下：V=0，V=0.6V，KP=194μA/V，λ=0，n=1.5，

SBTH0n

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E=1.5×10V/m。在V分别为1V，2V和3V时，请画出I−V关系曲线，

critGSDDS

VDS从0V变化到3V。分别比较有/无速度饱和效应两种情况。

(a)W=100μm和L=10μm；

(b)W=10μm和L=1μm；

(c)W=5μm和L=0.5μm。