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多面栅FinFET：制备工艺、关键技术与电学特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代信息技术飞速发展的浪潮中，半导体器件作为集成电路的核心组成部分，其性能的提升对于推动整个信息产业的进步起着至关重要的作用。自半导体技术诞生以来，遵循摩尔定律，半导体器件尺寸不断缩小，单位面积上的晶体管数量持续增加，这使得集成电路的性能和功能得到了极大的提升。然而，当器件尺寸进入纳米级尺度时，传统的平面金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）面临着诸多严峻的挑战。

随着器件尺寸的减小，短沟道效应愈发显著。短沟道效应是指当晶体管的沟道长度缩短到与源漏耗尽层宽度相当的程度时，漏极电压对沟道电势的影