CN101976711A 一种采用离子注入法制作太阳电池的方法 （晶澳太阳能有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101976711A

(43)申请公布日2011.02.16

(21)申请号201010520723.6

(22)申请日2010.10.27

(71)申请人晶澳太阳能有限公司

地址055550河北省邢台市宁晋县晶龙大街

267号

(72)发明人金井升尹海鹏朱生宾单伟刘勇

(74)专利代理机构广州知友专利商标代理有限公司44104

代理人李海波

(51)Int.CI.

HO1L31/18(2006.01)

HO1L21/265(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种采用离子注入法制作太阳电池的方法

(57)摘要

CN101976711A本发明公开了一种采用离子注入法制作太阳电池的方法，采用离子注入法实现在硅片上的杂质掺杂，该工艺热扩散掺杂工艺相比，其优势在于控制精确，杂质掺杂可以重复，处理过程为低温过

CN101976711A

CN101976711A权利要求书1/1页

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1.一种采用离子注入法制作太阳电池的方法，其特征在于：所述的光伏电池由以下结构组成：一种导电类型的晶体硅基底，基底为单晶硅片或者多晶硅片，导电类型为n型或者p型；在基底的前表面上具有发射极结构，该结构包含有具有特定掺杂浓度的掺杂层，其中的掺杂剂与基底的导电类型相反，包含有一套接触栅线，还包含在掺杂层上的一层减反射膜；在基底的背面具有背表面场结构，该结构包含有具有一层重掺杂层，其中的掺杂剂与基底的导电类型相同，包含一层绝缘薄膜，还包含穿过薄膜与重掺杂层形成欧姆接触的金属导电电极；该工艺采用离子注入法部分或完全替代热扩散实现在硅片上的杂质掺杂形成发射极结构和背表面场结构。

2.根据权利要求1所述的采用离子注入法制作太阳电池的方法，其特征在于：其中p+或者n+掺杂层在晶体硅基底的前表面采用离子注入法形成，离子注入的温度为10～50℃,所述掺杂层的掺杂深度在100nm～5μm。

3.根据权利要求1所述的采用离子注入法制作太阳电池的方法，其特征在于：其中p+或者n+掺杂层在晶体硅基底的背面采用离子注入法形成，离子注入的温度为10～50℃,掺杂层的掺杂深度在100nm～5μm。

4.根据权利要求3所述的采用离子注入法制作太阳电池的方法，其特征在于：其中p++或者n++点状掺杂区在所述晶体硅基底的背面p+或者n+掺杂层中形成，p++或者n++点状掺杂区利用掩膜，采用离子注入法在温度为10～50℃条件下实现，所述的点状掺杂区具有与基底一样的导电类型，所述的点状为圆形、椭圆形、正方形或长方形，点的大小为10μm～5mm。

5.根据权利要求1所述的采用离子注入法制作太阳电池的方法，其特征在于：其中薄膜在利用管式炉或者带式炉在氧气环境下进行退火时，在离子注入的掺杂层上和点状区域上形成，退火的温度为200～950℃,时间为5min～300min。

6.根据权利要求2或4所述的采用离子注入法制作太阳电池的方法，其特征在于：其中一束活性的、电离的掺杂杂质原子束注入到晶体硅片中，在硅片表面形成掺杂层，形成n型掺杂的杂质种类为磷(P)、砷(As)、锑(Se),形成p型掺杂的杂质种类为硼(B)、铝(A1)、镓(Ga)、铟(In),离子剂量范围为1013~101?离子/cm2,初始的离子能量范围为10KeV~

5MeV。

7.一种制作交替n型和p型导电类型掺杂带的方法，其特征在于：将n型和p型导电类型在晶体硅基底的同一个面上散布开来，并且不相互重叠，基底为单晶硅片或者多晶硅片，导电类型为n型或者p型。

8.根据权利要求7所述的制作交替n型和p型导电类型掺杂带的方法，其特征在于：其中交替导电类型掺杂带结构在晶体硅基底上采用离子注入法在掩膜掩护下形成，离子注入的温度为10～50℃,所述两种不同导电类型的掺杂带宽度不同或相同，宽度范围为100nm～10mm;所述掺杂层的掺杂深度为100nm～5μm。

9.根据权利要求7所述的制作交替n型和p型导电类型掺杂带的方法，其特征在于：其中离子注入法用来将活性的、电离的掺杂杂质原子注入到晶体硅片中，在硅片的同一个表面上形成交替导电类型的掺杂带结构，形成n型掺杂的杂质种类为磷(P)、