CN101964394A 一种制作相变存储单元相变单元的方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101964394A

(43)申请公布日2011.02.02

(21)申请号200910055386.5

(22)申请日2009.07.24

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市张江路18号

申请人中国科学院上海微系统与信息技术

研究所

(72)发明人钟旻向阳辉王良咏林静张复雄宋志棠

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人屈蘅李时云

(51)Int.CI.

HO1L45/00(2006.01)

G11C11/56(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图4页

(54)发明名称

一种制作相变存储单元相变单元的方法

提供相变单元基底，所述相变单元基底包括第一钝化层、贯穿所述第一钝化层的金属层、以

提供相变单元基底，所述相变单元基底包括第

一钝化层、贯穿所述第一钝化层的金属层、以

及位于所述第一钝化层上的第二钝化层

在所述相变单元基底上形成粘附层

刻蚀所述粘附层和所述第二钝化层至露出所述金属层，形成预填充开口，所述预填充