CN101969023B 在硅衬底上制作台阶生长MgxZn1xO薄膜的方法 （长春理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101969023B

(45)授权公告日2012.05.02

(21)申请号201010244531.7

(22)申请日2010.08.04

(73)专利权人长春理工大学

地址130022吉林省长春市朝阳区卫星路

7089号

(72)发明人王新向嵘李野王国政端木庆铎田景全

(74)专利代理机构长春科宇专利代理有限责任公司22001

代理人曲博

(51)Int.CI.

HO1L21/02(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

(56)对比文件

CN101210313A,2008.07.02,全文.

US2009/0291523A1,2009.11.26,全文.

审查员徐国亮

权利要求书1页说明书3页附图4页

(54)发明名称

在硅衬底上制作台阶生长Mg、Zn1-0薄膜的方法

(57)摘要

CN101969023B在硅衬底上制作台阶生长MgZn1-x0薄膜的方法属于半导体光电子材料制造技术领域。现有技术在硅衬底上引入缓冲层，要么在后续生长的MgZn1-x0薄膜中引入外来杂质，要么造成Mg、Zn??0薄膜中的Mg原子或者Zn原子比例失调。本发明在硅衬底上生长Mg、Zn1-x0薄膜之前，在硅衬底表面制作规则分布的台阶，硅衬底表面因此被划分为顶层表面、底层表面两种，顶层表面、底层表面高度相差30～200nm,顶层表面面积之和小于底层表面面积之和。本发明用于在硅衬底上直接制备Mg

CN101969023B

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CN101969023B权利要求书1/1页

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1.一种在硅衬底上制作台阶生长MgZn?-x0薄膜的方法，在硅衬底上生长MgZn1-x0薄膜，其特征在于，在硅衬底上生长Mg,Zn??x0薄膜之前，在硅衬底表面制作规则分布的台阶，硅衬底表面因此被划分为顶层表面、底层表面两种，顶层表面、底层表面高度相差30~200nm,顶层表面面积之和小于底层表面面积之和。

2.根据权利要求1所述的生长MgZn1?x0薄膜的方法，其特征在于，在硅衬底表面制作规则分布的台阶的过程为：

A、在硅衬底(1)上涂覆一层抗蚀剂(2);

B、在抗蚀剂(2)上覆盖掩膜版(3),掩膜版(3)的掩膜(4)图形与欲制作台阶的硅衬底表面的顶层表面图形一致，掩膜版(3)的非掩膜部分(5)图形与欲制作台阶的硅衬底表面的底层表面图形一致；

C、光刻曝光抗蚀剂(2);

D、显影抗蚀剂(2),抗蚀剂(2)对应非掩膜部分(5)的部分被溶解，其他部分保留下来；

E、采用腐蚀的方法加工抗蚀剂(2)被溶解处的硅衬底(1)表面，硅衬底(1)表面因此被划分为顶层表面(6)、底层表面(7)两种，呈现出规则分布的台阶。

3.根据权利要求2所述的生长Mg,Zn?-0薄膜的方法，其特征在于，每个非掩膜部分(5)的图形为圆角正方形，边长为0.1～100μm,或者为圆形，直径为0.1～100μm;各个非掩膜部分(5)阵列分布，轮廓相距0.1～100μm。

4.根据权利要求2所述的生长MgZn?-0薄膜的方法，其特征在于，所述腐蚀的方法为湿法腐蚀、干法腐蚀两种方法之一。

5.根据权利要求4所述的生长MgZn1-x0薄膜的方法，其特征在于，所述的干法腐蚀为反应离子刻蚀。

CN101969023B说明书1/3页

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在硅衬底上制作台阶生长MgZn1-x0薄膜的方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种在硅衬底上制作台阶生长MgZn1-x0薄膜的方法，属于半导体光电子材料制造技术领域。

背景技术

[0002]1997年，Zn0薄膜受激发射的性能被报道。今天，ZnO薄膜已经成为一种宽禁带透明半导体光电子材料。当在Zn0中掺入Mg元素，形成MgZn1-0合金薄膜，可以使其中的ZnO薄膜的禁带宽度进一步增大，在紫外发光器件和紫外探测器件等领域具有重要应用。申请号为200910066945.2、名称为“具有Al?O?缓冲层的硅衬底Mg,Zn??0薄膜磁控溅射制备方法”的中国发明专利申请公开了一项制备MgZn1-x0薄膜的技术方案。该方案采用磁控溅射方法，先在硅衬底生长