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- 2026-03-04 发布于河南
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光电探测技术与应用主编：郝晓剑李仰军国防工业出版社
第三章光电导器件
1试说明为什么本征光电导器件在越微弱的辐射作用下，时间响应越长，灵敏
度越高。
(1 t/)代入（1-83），并对其
解：在微弱信号的辐射下，将式（1-80） n N e
e,
求导即可得半导体材料在弱辐射下的光电导灵敏度为
dgq t/
S(1e)，由此可知时间t响应越长，灵敏度越高。
光电探测技术与应用主编：郝晓剑李仰军国防工业出版社
第三章光电导器件
1试说明为什么本征光电导器件在越微弱的辐射作用下，时间响应越长，灵敏
度越高。
(1 t/)代入（1-83），并对其
解：在微弱信号的辐射下，将式（1-80） n N e
e,
求导即可得半导体材料在弱辐射下的光电导灵敏度为
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S(1e)，由此可知时间t响应越长，灵敏度越高。
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