CN106952983A 硅基Ge光探测器阵列及其制作方法 （上海新微科技服务有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106952983A

(43)申请公布日2017.07.14

(21)申请号201710078428.1

(22)申请日2017.02.14

(71)申请人上海新微科技服务有限公司

地址201800上海市嘉定区菊园新区环城

路2222号1幢1048室

申请人中国科学院上海微系统与信息技术

研究所

中科院南通光电工程中心

(72)发明人仇超武爱民盛振高腾甘甫烷赵颖璇李军

(74)专利代理机构上海光华专利事务所31219代理人罗泳文

(51)Int.CI.

HO1L31/18(2006.01)

HO1L27/146(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图6页

(54)发明名称

硅基Ge光探测器阵列及其制作方法

(57)摘要

本发明提供一种硅基Ge光探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括：1)于硅衬底中形成N++型掺杂层；2)于N++型掺杂层表面形成本征Ge层；3)于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列；

CN106952983A4)于各P+型掺杂区之间形成N+型掺杂区；5)于各P+型掺杂区及各N+型掺杂区