CN106876484B 高击穿电压氧化镓肖特基二极管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106876484B公告日2019.10.11

(21)申请号201710057175.X

(22)申请日2017.01.23

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106876484A

(43)申请公布日2017.06.20

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人冯倩李翔韩根全黄璐

方立伟邢翔宇张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

H01L29/872(2006.01)

HO1L21/329(2006.01)

(56)对比文件

CN103781948A,2014.05.07,

CN103918082A,2014.07.09,

CN104726935A,2015.06.24,

CN104617099A,2015.05.13,

CN101997002A,2011.03.30,

JP2012049170A,2012.03.08,JP2012138552A,2