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半导体工艺习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共20分）

1.下列氧化方法中，生长热氧化SiO?速率最快的是（）。

A.干氧氧化B.湿氧氧化C.氢氧合成氧化D.高压氧化

2.光刻工艺中，决定图形最小线宽的关键参数是（）。

A.光刻胶厚度B.曝光波长C.显影时间D.烘烤温度

3.刻蚀工艺中，选择比的定义是（）。

A.刻蚀速率与沉积速率之比B.刻蚀速率与掩膜材料刻蚀速率之比C.刻蚀深度与图形尺寸之比D.刻蚀速率与衬底材料刻蚀速率之比

4.下列关于离子注入射程的说法，正确的是（）。

A.能量越高，射程越短B.剂量越高，射程越长C.衬底温度越高，射程越大D.杂质原子质量越大，射程越小

5.化学气相沉积（CVD）中，沉积SiO?的常用前驱体是（）。

A.SiH?B.TEOSC.NH?D.H?

6.单晶硅制备中，直拉法（Czochralskimethod）的主要优点是（）。

A.生产成本低B.适合制备高阻硅C.可拉制大尺寸晶圆D.晶体纯度高

7.扩散工艺中，影响杂质扩散深度的主要因素是（）。

A.扩散时间B.扩散温度