CN106847851A 多光谱图像传感器及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106847851A

(43)申请公布日2017.06.13

(21)申请号201710081904.5

(22)申请日2017.02.15

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区上海张江高

科技园区高斯路497号

申请人成都微光集电科技有限公司

(72)发明人王勇

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人王仙子

(51)Int.CI.

HO1L27/146(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图5页

(54)发明名称

CN106847851A

CN106847851A

(57)摘要

本发明涉及一种多光谱图像传感器及其制作方法。所述多光谱图像传感器包括前端结构，用于进行光电转换和处理；设置于所述前端结构上的像素层；其中，所述像素层具有N个像素单元，N≥4,所述像素单元排列成多个阵列，每个阵列中各个像素单元的感光波长不同。由此可以实现多光谱同时检测，提高效率，降低成本，并实现小型化。

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CN106847851A权利要求书1/2页

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1.一种多光谱图像传感器，包括：

前端结构，用于进行光电转换和处理；

设置于所述前端结构上的像素层；

其中，所述像素层具有N个像素单元，N≥4,所述像素单元排列成多个阵列，每个阵列中各个像素单元的感光波长不同。

2.如权利要求1所述的多光谱图像传感器，其特征在于，所述像素单元排列成多个重复的阵列。

3.如权利要求2所述的多光谱图像传感器，其特征在于，在每个阵列中像素单元的感光波长依次增加。

4.如权利要求3所述的多光谱图像传感器，其特征在于，在每个阵列的像素单元的感光半波长宽度为λi/2-20nm~λi/2+20nm,其中λi为第i像素单元的设定感光波长，1≤i≤N。

5.如权利要求1所述的多光谱图像传感器，其特征在于，所述前端结构具有金属连线，每个像素单元皆设置在相邻金属连线之间。

6.如权利要求1所述的多光谱图像传感器，其特征在于，还包括：设置于所述像素层上的微透镜层。

7.如权利要求1所述的多光谱图像传感器，其特征在于，还包括：设置于所述前端结构边缘的焊盘区。

8.一种多光谱图像传感器的制作方法，包括：

提供前端结构，所述前端结构用于进行光电转换和处理；

在所述前端结构上形成像素层；

其中，所述像素层具有N个像素单元，N≥4,所述像素单元排列成多个阵列，每个阵列中各个像素单元的感光波长不同。

9.如权利要求8所述的多光谱图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述前端结构上形成像素层的步骤包括：

在前端结构上涂覆第一材料层，覆盖前端结构上的金属连线；

在第一材料层上涂覆第一感光材料层，并通过光刻形成第一像素单元；

在第一材料层上涂覆第K感光材料层，并通过光刻形成第K像素单元；

在第一材料层上涂覆第N感光材料层，并通过光刻形成第N像素单元；其中，每个像素单元与其相邻的像素单元不同，第一感光材料层至第N感光材料层的感光波长不同，1KN。

10.如权利要求9所述的多光谱图像传感器的制作方法，其特征在于，第一像素单元至第N像素单元依次排布成阵列。

11.如权利要求9所述的多光谱图像传感器的制作方法，其特征在于，第一感光材料层至第N感光材料层的感光半波长宽度为λi/2-20nm~λi/2+20nm,其中λi为第i感光材料层的设定感光波长，1≤i≤N。

12.如权利要求9所述的多光谱图像传感器的制作方法，其特征在于，将每个像素单元皆形成在相邻金属连线之间。

13.如权利要求9所述的多光谱图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述前端结构上形成像素层之后，还包括：

形成第二材料层覆盖所述像素层和第一材料层；

CN106847851A权利要求书2/2页

3

在第二材料层位于像素层上的区域上形成透镜材料层；

经过光刻工艺使得所述透镜材料层形成微透镜层；

形成第三材料层覆盖所述微透镜层和第二材料层；

经过光刻、刻蚀工艺暴露出所述前端结构的边缘部分区域，形成焊盘区。去除所述第三材料层。

CN106847851A