CN105845814A 一种紫外led封装结构及其制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN105845814A

(43)申请公布日2016.08.10

(21)申请号201610288910.3

(22)申请日2016.05.04

(71)申请人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人陈明祥彭洋程浩罗小兵刘胜

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心42201

代理人梁鹏

(51)Int.CI.

HO1L33/52(2010.01)

HO1L33/58(2010.01)

HO1L33/00(2010.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

一种紫外LED封装结构及其制作方法

(57)摘要

CN105845814A本发明公开了一种紫外LED封装结构及其制作方法，所述封装结构包括紫外LED芯片、玻璃盖板和陶瓷基座。所述玻璃盖板的上、下表面分别设有粗化结构，且所述玻璃盖板外沿设有金属层一；所述陶瓷基座内设有用于放置所述紫外LED芯片的凹槽，所述凹槽的底部形成有电路层，所述凹槽的槽壁的上表面设有金属层二；所述金属层