1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内外标准规范

CN108630658B 半导体装置及其制造方法 （安靠科技新加坡控股私人有限公司）.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约3.45万字
  • 约 28页
  • 2026-03-09 发布于山西
  • 举报

CN108630658B 半导体装置及其制造方法 （安靠科技新加坡控股私人有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN108630658B

    (45)授权公告日2025.05.23

    (21)申请号201710508310.8(51)Int.Cl.

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >