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集成电路制造技术-原理与工艺课后习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项字母填入括号内）

1.在集成电路制造中，以下哪种材料通常用作掩模版的基础材料？()

A.硅(Si)

B.光学玻璃(K9Glass)

C.氮化硅(SiN)

D.二氧化硅(SiO2)

2.热氧化工艺主要在哪种气氛下进行，以生成二氧化硅（SiO2）层？()

A.氮气(N2)气氛

B.氢气(H2)气氛

C.干燥氧气(O2)气氛

D.氮氧混合气(N2O)气氛

3.以下哪种工艺主要利用化学反应将特定物质从溶液中去除？()

A.干法蚀刻

B.湿法清洗

C.离子注入

D.化学气相沉积(CVD)

4.在CMOS器件制造中，制造N型沟道晶体管需要掺杂哪种类型的杂质？()

A.磷(P)或砷(As)

B.硼(B)或镓(Ga)

C.铝(Al)

D.氯(Cl)

5.光刻工艺中，定义图形最小特征尺寸的关键因素通常是什么？()

A.光源波长

B.掩模版透射率

C.研发液化