1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内外标准规范

CN113097130B 半导体器件及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

  • 2
  • 0
  • 约2.6万字
  • 约 59页
  • 2026-03-11 发布于山西
  • 举报

CN113097130B 半导体器件及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN113097130B

    (45)授权公告日2025.05.27

    (21)申请号202110244176.1

    (22)申请日2021.03.05

    (65)同一申请的已公布的文献号

    申请公布号

    (43)申请公布日

    (30)优先权数据63/001,16317/019,913

    CN113097130A2021.07.09

    2020.03.27US

    2020.09.14US

    (73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹

    (72)发明人林咏淇吴仓聚邱文智余振华

    (74)专利代理机构

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >