CN104752349A 一种制作半导体器件的方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104752349A

(43)申请公布日2015.07.01

(21)申请号201310732641.1

(22)申请日2013.12.26

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人赵杰

(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所

11336

代理人董巍高伟

(51)Int.CI.

HO1L21/8238(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图7页

(54)发明名称

一种制作半导体器件的方法

在半导体衬底上形成有层间介电层，去除NMoS

在半导体衬底上形成有层间介电层，去除NMoS

区域中的虚拟硼极结构和PMOS区域中的虚拟楷

极结构，以影成金属栅极沟楷

在NMOS域和PMOS逐域中的金属滞极沟楼中

依次流积形威界酒层、高K介电层，竣盖层，钝

化处理所述覆盖层的表面

在所述疫盖层上形成胆档层，跑化处理所述阻挡层的表面

在阻挡层上形成P型功函数金属层；纯化处理所述阻挡层P型功函数金属层的表面

采用光刻工艺去除NMOS医城中的P型功函数会属层

在华导体村底上依