CN104752316A 一种制作半导体器件的方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104752316A

(43)申请公布日2015.07.01

(21)申请号201310728082.7

(22)申请日2013.12.25

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限

公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人赵杰宋伟基

(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所

11336

代理人董巍高伟

(51)Int.CI.

HO1L21/768(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图5页

(54)发明名称

一种制作半导体器件的方法

(57)摘要

CN104752316A本发明公开了一种制作半导体器件的方法，根据本发明的方法提出了一种新的金属栅极薄膜堆的制作工艺，以阻止PMOS区域中的铝的扩散，在NMOS区域中利用铝的扩散，最终使形成的半导体器件结构与传统工艺形成的半导体器件结构相比具有良好的间隙填充边缘和较低金属栅极电阻，以提高半导体器件的整体性能，提高半导