2025 年大学电子科学与技术（半导体物理）下学期期末测试卷.docVIP

2025年大学电子科学与技术（半导体物理）下学期期末测试卷

（考试时间：90分钟满分100分）班级______姓名______

一、选择题（总共10题，每题3分，每题只有一个正确答案，请将正确答案填写在括号内）

1.半导体中电子和空穴的产生是由于（）

A.热激发B.光照C.杂质掺入D.以上都是

2.本征半导体的导电能力取决于（）

A.温度B.杂质浓度C.光照强度D.以上都不是

3.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度B.杂质浓度C.光照强度D.以上都不是

4.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

5.二极管的反向电流随温度的升高而（）

A.增大B.减小C.不变D.不确定

6.三极管工作在放大区时，发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。

A.正向，正向B.正向，反向C.反向，正向D.反向，反向

7.场效应管是利用（）来控制漏极电流的。

A.栅源电压B.漏源电压C.栅极电流D.漏极电流

8.半导体的热导率随温度的升高而（）

A.增大B.减小C.不变D.不确定

9.半导体中载流子的迁移率