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- 2026-03-12 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN102369604A
(43)申请公布日2012.03.07
(21)申请号201180001061.4
(22)申请日2011.08.01
(30)优先权数据
61/445,5162011.02.22US
(51)Int.CI.
HO1LHO1L
33/02(2010.01)
33/20(2010.01)
(85)PCT申请进入国家阶段日
2011.08.10
(86)PCT申请的申请数据
PCT/CN2011/0778402011.08.01
(71)申请人香港应用科技研究院有限公司
地址中国香港特别行政区新界沙田香港科
学园科技大道西二号生物资讯中心三
楼
(72)发明人林立旻邵向峰
(74)专利代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司44223
代理人江耀纯
权利要求书2页说明书4页附图5页
(54)发明名称
垂直结构发光二极管结构及其制作方法
160150
160
150
金属170
新的主村底~200
CN102369604A本发明提供一种制作化合物半导体垂直结构LED的方法。提供第一生长衬底,其上能支持化合物半
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