CN102683406A GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102683406A

(43)申请公布日2012.09.19

(21)申请号201210132145.8

(22)申请日2012.04.29

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

HO1L29/10(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

(72)发明人张进成张琳霞郝跃马晓华

王冲艾姗周昊李小刚霍晶张宇桐

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/04(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图2页

(54)发明名称

GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法

介质10漏9

介质10

漏9

第一导电沟道16

一次二维电子气2DEG层14

第二导电沟道17

辅二维电子气2