CN102645695A 滤波范围430～630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器及其制作方法 （河南科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102645695A

(43)申请公布日2012.08.22

(21)申请号201210157929.6

(22)申请日2012.05.21

(71)申请人河南科技大学

地址471000河南省洛阳市涧西区西苑路

48号

(72)发明人李萍胡志刚雷万军杨晓利宋霄薇乔晓岚娄丽敏张瑞

(74)专利代理机构洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)41120

代理人罗民健

(51)Int.CI.

GO2B5/20(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图1页

(54)发明名称

滤波范围430～630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器及其制作方法

(57)摘要

CN102645695A滤波范围430~630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，滤波器包括光子晶体层和镜头玻璃，光晶晶体层设置在镜头玻璃表面，光子晶体层由10层A介质层和10层B介质层相互交替叠加构成(AB)?(BA)5型复合结构，用传输矩阵法仿真了一维光子晶体的传输特性曲线，在理论分析的基础上设计了一种无掺杂结构的光子晶体光学滤波器，采用简单的无掺杂光子晶体结构，只是改变了一次光子晶体镀膜顺序，大大降低了加工难度和对精度的要求。根据需要透过的单色光频率选择合适的光子晶体结构参数，实现单色光透过的滤波器，该一维光子晶体光学滤波器对选定频率单色光透过率达到100%。成熟的镀膜技术可以方便地将一维光子晶体膜系加工在光学透镜表面，该

CN102645695A

CN102645695A权利要求书1/1页

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1.滤波范围430~630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，其特征在于：滤波器包括光子晶体层(1)和镜头玻璃(2),光晶晶体层(1)设置在镜头玻璃(2)表面，光子晶体层(1)由

10层A介质层和10层B介质层相互交替叠加构成(AB)?(BA)?型复合结构，所述的A为砷化镓，B为二氧化硅，其中(AB)?表示5层A介质和B介质交替叠加构成的复合介质层，其中A介质层的厚度为38.118nm,B介质层的厚度为59.9nm,该复合介质层设置在光子晶体层(1)的内侧，并与镜头玻璃连接；其中(AB)?表示5层A介质和B介质交替叠加构成的复合介质层，其中A介质层的厚度为38.118nm,B介质层的厚度为59.9nm,该复合介质层设置在光子晶体层(2)外侧。

2.如权利要求1所述的滤波范围430~630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，其特征在于：所述的A介质层的折射率为nA=3.4,B介质层的折射率为ng=2.22,A介质层的厚度为，B介质层的厚度为b=2/4nB

,中心波长取532nm。

3.如权利要求1所述的滤波范围430~630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器的制作方法，其特征在于：

步骤一、取一个镜头玻璃作为基板，将基板双面抛光，备用；

步骤二、将加工好的基板表面进行清洁化处理，采用酸性清洗液和去离子水分别清洗基板，然后将基板置于热板上烘干，温度65°,时间10分钟；

步骤三、将基板放入真空镀膜机中，在其一个表面上进行A介质的镀膜，砷化镓折射率nA=3.4,中心波长取532nm时，其镀膜厚度为a=A/4n,即38.118nm,镀膜后干燥冷却30分钟，然后在基板镀有A介质膜层的表面进行B介质的镀膜，二氧化硅的折射率ng=2.22,

中心波长取532nm时，其镀膜厚度为b=A/4ng,即59.9nm,镀膜后干燥冷却30分钟；

步骤四、按照步骤三的方法交替进行A介质和B介质镀膜，直至镀好4层A介质膜层和4层B介质膜层，在基板上形成结构为(AB)的光子晶体复合镀膜层；

步骤五、在光子晶体结构已经镀膜为(AB)4的基板结构上继续进行A介质砷化镓的镀膜，厚度为38.118nm,干燥冷却30分钟，在基板上形成结构为(AB)?A的光子晶体复合镀膜层；

步骤六、在基板上光子晶体结构已经镀膜为(AB)?A的结构上进行B介质二氧化硅的镀膜，厚度为119.8nm,在基板上形成结构为(AB)?B的光子晶体复合镀膜层；

步骤七、按照