CN102265414A 制作垂直结构发光二极管的方法 （香港应用科技研究院有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102265414A

(43)申请公布日2011.11.30

(21)申请号201180000942.4

(22)申请日2011.06.21

(30)优先权数据

12/912,7272010.10.26US

(85)PCT申请进入国家阶段日

2011.07.28

(86)PCT申请的申请数据

PCT/CN2011/0760692011.06.21

(71)申请人香港应用科技研究院有限公司

地址中国香港特别行政区新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心3楼

(72)发明人林立旻陈家华郑盛梅蔡勇

(74)专利代理机构深圳新创友知识产权代理有

限公司44223代理人江耀纯

(51)Int.CI.

HO1L33/00(2010.01)

权利要求书2页说明书4页附图4页

(54)发明名称

制作垂直结构发光二极管的方法

(57)摘要

CN102265414A本发明提供一种制作垂直结构LED的方法，其中用于外延层生长的衬底是通过抛光而去除的。在典型实施例里使用的抛光技术是化学机械抛光，使用抛光停止点来提供充分水平的平面。在抛光表面之前，抛光停止点被