CN102668279A Iii族氮化物半导体激光器元件及制作iii族氮化物半导体激光器元件的方法 （住友电气工业株式会社）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102668279A

(43)申请公布日2012.09.12

(21)申请号201080058983.4

(22)申请日2010.11.15

(30)优先权数据

2009-2955742009.12.25JP

(85)PCT申请进入国家阶段日

2012.06.25

(86)PCT申请的申请数据

PCT/JP2010/0702922010.11.15

(87)PCT申请的公布数据

WO2011/077856JA2011.06.30

(71)申请人住友电气工业株式会社地址日本大阪府大阪市

(72)发明人善积祐介高木慎平池上隆俊

上野昌纪片山浩二

(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219

代理人谢丽娜关兆辉

(51)Int.CI.

HO1S5/10(2006.01)

HO1S5/343(2006.01)

权利要求书4页说明书25页附图23页

(54)发明名称

III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法

(57)摘要

本发明提供一种III族氮化物半导体激光器 元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的 方向