CN102683406B GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102683406B

(45)授权公告日2014.08.20

(21)申请号201210132145.8

(22)申请日2012.04.29

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人张进成张琳霞郝跃马晓华

王冲艾姗周昊李小刚霍晶张宇桐

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(56)对比文件

CN102130160A,2011.07.20,全文.

CN102203936A,2011.09.28,全文.

JP特开2011-222768A,2011.11.04,全文.

WangChongetal..《AnEnhancement-ModeAlGaN/GaNHEMTwithRecessed-Gate》.《JOURNALOFSEMICONDUCTORS》.2008,第29卷(第9期),第1682-1685页.

审查员廖艳闺

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

29/778(