CN102354540A I层钒掺杂的pin型核电池及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102354540A

(43)申请公布日2012.02.15

(21)申请号201110319001.9

(22)申请日2011.10.19

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人郭辉张克基张玉明张玉娟韩超石彦强

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

G21H1/06(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法

(57)摘要

CN102354540A本发明公开了一种I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池中I层掺杂浓度高的问题。本发明的PIN型核电池自上而下包括放射性同位素源层(1)、SiO?致密绝缘层(2)、SiO?钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×101?~5×101?cm?3的p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×101?~7×101cm?3的n型SiC衬底(7