CN102709320A 纵向导通的GaN基MISFET 器件及其制作方法 （中山大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102709320A

(43)申请公布日2012.10.03

(21)申请号201210033746.3

(22)申请日2012.02.15

(71)申请人中山大学

地址510275广东省广州市新港西路135号

(72)发明人刘扬倪毅强张佰君

(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司44102

代理人林丽明

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图5页

(54)发明名称

纵向导通的GaN基MISFET器件及其制作方法

(57)摘要

CN102709320A本发明涉及一种纵向导通的GaN基MISFET器件，包括栅极、源极、漏极、绝缘层、导电GaN衬底和形成于导电GaN衬底上的外延层，所述外延层由下往上依次包括第一n型轻掺杂GaN层，二次生长掩膜介质层，非掺杂GaN层和异质结势垒层，所述外延层中部形成凹槽沟道，凹槽沟道和异质结构势垒层的表面覆盖绝缘层，栅极覆盖于绝缘