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摩擦电子学与压电光电子学效应对MoS?和ZnO场效应晶体管的调控研究

一、引言

1.1研究背景与意义

场效应晶体管（FieldEffectTransistor，FET）作为现代电子学的核心器件之一，广泛应用于集成电路、传感器、通信等众多领域。随着科技的飞速发展，对场效应晶体管性能的要求也日益提高，如更高的开关速度、更低的功耗、更高的载流子迁移率等。然而，传统的场效应晶体管在发展过程中逐渐面临一些瓶颈。一方面，随着器件尺寸的不断缩小，短沟道效应愈发显著，导致漏电流增加、阈值电压不稳定等问题，严重影响了器件的性能和可靠性。另一方面，传统半导体材料的性能逐渐接近其理论极限，难以满足未来高性能电子器件的需求。因此，寻找新的材料和物理效应来突破这些瓶颈，成为当前电子学领域的研究热点之一。

摩擦电子学（Tribotronics）和压电光电子学（Piezo-phototronics）效应的出现，为解决上述问题带来了新的机遇。摩擦电子学效应是指通过摩擦起电产生的静电场来调控半导体器件中载流子的输运特性。当两种不同材料相互接触和分离时，会在表面产生静电荷，这些静电荷所形成的电场可以有效地调制半导体沟道中的电流，从而实现对器件性能的主动控制。这种效应为开发新型自驱动电子器件和传感器提供了新的途径，有望在物联网、可穿戴设备等领域发挥重要作用。

压电光电子学效应则是将压电效应、光激发特性和半